سعر فوب
أحصل على آخر سعر|
- Minimum Order
بلد:
China
نموذج رقم:
IRF5803TRPBF
سعر فوب:
الموقع:
-
سعر الحد الأدنى للطلب:
-
الحد الأدني للطلب:
-
تفاصيل التغليف:
-
موعد التسليم:
-
القدرة على التوريد:
-
نوع الدفع:
-
مجموعة المنتج :
الشخص الذي يمكن الاتصال به myra
Xiaolou, Guangdong
These P-channel HEXFET� Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The TSOP*6 package with its customized leadframe produces a HEXFET� power MOSFET with RDS(on) *0% less than a similar size SOT**3. This package is ideal for applications where printed circuit board space is at a premium. It's unique thermal design and RDS(on) reduction enables a current-handling increase of nearly **0% compared to the SOT**3.
بلد: | China |
نموذج رقم: | IRF5803TRPBF |
سعر فوب: | أحصل على آخر سعر |
الموقع: | - |
سعر الحد الأدنى للطلب: | - |
الحد الأدني للطلب: | - |
تفاصيل التغليف: | - |
موعد التسليم: | - |
القدرة على التوريد: | - |
نوع الدفع: | - |
مجموعة المنتج : | ic electronic components |