❯

BOOK A CALL

Book Call On Your Favorite Time

I'm a Buyer I'm a Supplier

By Signing Up. I agree to TradeKey.com Terms of Use, Privacy Policy, IPR and receive emails related to our services

❯

I'm a Buyer I'm a Supplier

By Signing Up. I agree to TradeKey.com Terms of Use, Privacy Policy, IPR and receive emails related to our services

IGBT Module

سعر فوب

أحصل على آخر سعر

- Minimum Order

بلد:

Russia

نموذج رقم:

M9-200-12

سعر فوب:

(قابل للتفاوض) أحصل على آخر سعر

الموقع:

Russia

سعر الحد الأدنى للطلب:

الحد الأدني للطلب:

تفاصيل التغليف:

موعد التسليم:

4 weeks

القدرة على التوريد:

نوع الدفع:

T/T

مجموعة المنتج :

الاتصال الآن

عرض كتيب

Electrum AV, Ltd

Russia

عضو مجاني

الشخص الذي يمكن الاتصال به Ms. Lyudmila

5 Naugorskoe highway, Orel, Russia

الاتصال الآن

الوصف

M9 (MOSFET) – the module of single key MOSFET is intended for commutation of power loads and use composed of power converters with high switching frequency.

M9 (IGBT) – single IGBT module, shunted by reverse FRD, is intended for commutation of power loads and use composed of power converters with high switching frequency.

M*0 – tandem IGBT, shunted by reverse FRS and FRD is intended for use in the capacity of switching elements in power converters.

M*1 – tandem FRD and IGBT key, shunted by reverse FRD is intended for use in the capacity of switching elements in power converters.

M*2 – two tandem MOSFET or IGBT keys shunted by reverse FRD is intended for use in the capacity of switching elements in power converters.

بلد:	Russia
نموذج رقم:	M9-200-12
سعر فوب:	(قابل للتفاوض) أحصل على آخر سعر
الموقع:	Russia
سعر الحد الأدنى للطلب:	-
الحد الأدني للطلب:	-
تفاصيل التغليف:	-
موعد التسليم:	4 weeks
القدرة على التوريد:	-
نوع الدفع:	T/T
مجموعة المنتج :	-