China Semiconductors مورد ، مصنع ، مصدر Semiconductors From Global Suppliers and Manufacturers

Products Buy Offers عروض البيع مركز التعلم عرض تجاري تسجيل الدخول انضم مجانا مساعدة

منتجات مميزة

Sort By: نقاط الثقة

Filter By: كراسة

(1346 المنتوجات) صفحة 3 من 54

2 Inch Silicon Carbide Wafer SiC Wafer , 4h-n Type

SiC substrate material is the core and basic material for preparing power semiconductor devices.Due to its excellent physical properties such as high temperature resistance, high pressure resistanc...

عضو مجاني

JXT Technology Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

6 Inch Sic Wafer/ Silicon Carbide Wafer /4h-n Type

Silicon Carbide SiC substrates have high resistivity and are mainly used for GaN heteroepitaxy. RF devices represented by HEMT combine the excellent thermal conductivity of SiC with the high-powe...

عضو مجاني

JXT Technology Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

8 Inch Sic Wafer/ Silicon Carbide Wafer /4h-n Type

SiC power devices can effectively meet the requirements of high efficiency, miniaturization and light weight of power electronic systems with their excellent performance of high voltage resistance,...

عضو مجاني

JXT Technology Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

SiC Boule Manufacturer In China SiC Substrate

SiC Boule Manufacturer in China SiC substrate Both N-Type and Semi-Insulating Type 4H*6 inch SiC Boule and SiC substrate wafer are available in Homray Material Technology. Please conta...

عضو مجاني

Homray Material Technology Co., Ltd

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FP35R12KT4

Part Number : FP*5R*2KT4 Voltage ***0V Configuration PIM Housing EconoPIM 2 SIKEYUE specializes in branded products such as Infineon, Hitachi Energy ABB , PI, LITEON, Grandsemi, Lcor...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FP50R12KT4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FF200R12KT4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FF200R12KS4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT MODULE FS200R12N3T7

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FF600R12KE4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FF300R17ME4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FZ400R17KE4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

INFINEON IGBT Module FF650R17IE4

IGBT power module is a power module composed ofInsulatedGateBipolar Transistors IGBTs .IGBT power module is a semiconductor power module that integrates IGBT and driver circuits. It can conve...

عضو مجاني

SIKEYUE SINGAPORE PTE. LTD.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor

The Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor is the perfect choice for semiconductor manufacturing applications that require exceptional heat distribution and thermal conductivity. Its high-p...

عضو مجاني

Semicorex Advanced Material Technology Co., Ltd

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

TIM3742-45SL-341 Microwave Power GaAs FET GaN Internally Matched FET

Model No.: TIM******5SL***1 Brand: Original In Stock: *0 pcs First come, first served Features: Low Intermodulation Distortion IM3 **5 dBc at Pout *5.5 dBm Single Carrier Level Hi...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

MRF7S38075HS MRF7S38075HR3 MRF7S38075HSR3 N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFE...

Product Descriprtion: Model No. MRF7S****5HS / MRF7S****5HR3 / MRF7S****5HSR3 Designed for WiMAX base station applications with frequencies up to ***0 MHz. Suitable for WiMAX, WiBro, BWA, and ...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

MRFE6S9160HSR3 MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HS N-channel Enhancement Mode Lateral MOSFE...

Product Descriprtion: Model No. MRFE6S***0HSR3 / MRFE6S***0HR3 / MRFE6S***0HS Designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from **5 to **0 MHz. Suitab...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

MW7IC2040NBR1 MW7IC2040NB RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 1805 To 19...

Product Description The MW7IC***0N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from ***5 to ***0 MHz. This multi-stage structure is rated for *4 to *2 Volt op...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

MD7IC2755NR1 RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers On-chip Matching Usabl...

Model No. : MD7IC***5NR1 Brand: Freescale NXP In stock ***0 pcs Features: Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration **0 PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability Charac...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

ARF1510 Power Module For Off-line 300V Operation In High Power Scientific, Medical...

Model No.: ARF***0 Brand: APT The ARF***0 is four RF power transistor arranged in an H-Bridge configuration. It is intended for off-line **0V operation in high power scientific, medical and, indus...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

FMM5056VF Eudyna RF Power Amplifier PCB Standard Communications Band In The 5.8 To...

Model No.: FMM***6VF RF Power Amplifier PCB Brand: Eudyna Fujitsu In stock:***0 pcs Features: High Output Power: *4.0dBm typ. High Liner Gain: *8.0dB typ. Low VSWR Broard Band: 5....

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

ARF1510 Microwave RF Power Tubes Semiconductors Mosfet

Product Details: Brand: Microsemi Product Name: RF power Mosfet tubes Model Number: ARF***0 Votage: **0V Power:**0w Frequency: *0MHz Gain: *7dB Class D Feature: High Performance Powe...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

FLL357ME Fujitsu FLL357 L-Band RF Power Transistor Medium High Power GaAs FET

Model No. : FLL**7ME L**7 Description : The FLL**1ME is a Power GaAs FET that is specifically designed to provide high power at L-Band frequencies with gain, linearity and...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

TIM7785-60SL MOSFET RF AMP Radar Transmitting Module TOSHIBA TSB Microwave Tube

Model No. : TIM******0SL Brand: TOSHIBA Product Name: Microwave RF transister Description: Input Voltage Range: *0V to *0V *5V Abs. Max. Wide Output Voltage: 4.5V to *8V Vout Vin/2 *7...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

NEW QPA4501 GaN PA Module 4.4 To 5.0 GHz 3 W 28 V

The QPA***1 is an integrated *-stage Power Amplifier Module designed for massive MIMO applictions up yo 3W RMS at the device output covering frequency range from 4.4 to 5, 0 GHz. The module is *0 ...

عضو مجاني

Shenzhen Yuanlong Microwave Electronics Co., Ltd.

نقاط الثقة : 0

الاتصال الآن

سابق 1 2 3 4 5 6 7 التالي

كل الأسعار / المنتجات / ملفات الشركة / الصور ومحتويات أخرى يتم نشرها من قبل المستخدم ، لن تكون Tradekey مسؤولة عن أي محتوى من هذا القبيل. ومع ذلك ، تحترم Tradekey الملكية الفكرية أو حقوق الطبع والنشر أو العلامة التجارية أو الأسرار التجارية أو أي ملكية شخصية أخرى أو ملكية خاصة لطرف ثالث ، ونتوقع من الآخرين أن يكونوا قادرين على القيام بذلك. إذا كان لديك أسئلة، من فضلك تواصل معنا . Created in 1.54888 seconds

❯

I'm a Buyer I'm a Supplier

🗘

By Signing Up. I agree to TradeKey.com Terms of Use, Privacy Policy, IPR and receive emails related to our services

❯

BOOK A CALL

Book Call On Your Favorite Time

I'm a Buyer I'm a Supplier

🗘

By Signing Up. I agree to TradeKey.com Terms of Use, Privacy Policy, IPR and receive emails related to our services

منتجات مميزة

Get Verified Buyers & Suppliers

Avail Free Consultation